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HVCMOS工艺是由传统CMOS工艺演变而来的。传统CMOS工艺无法承受高压,因此晶圆厂开发高压CMOS的工艺来满足现有市场的需要。
HVCMOS的工艺在掺杂和扩散都是对称,不像BCD工艺不对称。因此BCD的gate端无法像HVCMOS一样所有端口可以承受高压。因此HVCMOS工艺的性能会优于BCD。
AFE表示模拟前端。因为自然界所有的事物都是模拟信号量,但我们处理的设备都是数字信号,也就是说需要有一个模拟转成数字的器件,一般称为ADC模数转换;搭配ADC工作的PGA、参考电压,参考电流,DAC等完成采集模拟信号链的信号且转换成数字信号的器件我们称为AFE模拟前端。
所以针对不同应用场景,每一个AFE的特性会有差异,如电池管理AFE、仪表放大AFE、模拟电视的AFE等,但都是一个目的:要将模拟信息转换成数字。